絶縁ゲートバイポーラトランジスタの定義

絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ（IGBT）は、MOSFET（金属-酸化物-半導体電界-効果トランジスタ）と BJT（バイポーラ接合トランジスタ）の利点を組み合わせた、完全に制御された電圧駆動の複合パワー半導体デバイスです。{0}

 

コア定義ポイント
構造構成: MOSFET の高入力インピーダンスおよび電圧駆動特性と、BJT の低い導通電圧降下および高電流搬送能力を組み合わせています。-

 

動作原理: ゲートに電圧を印加してチャネル形成を制御することで、PNP トランジスタにベース電流を供給し、ターンオンまたはターンオフを実現します。-

 

端子構造: 3 つの電極 - ゲート (G)、コレクタ (C)、エミッタ (E) があります。

 

主な利点
高入力インピーダンス (MOSFET と同様、低駆動電力)

低導通電圧降下（BJTと同様、低導通損失）

高電圧、大電流、中周波数から高周波数のアプリケーションに適しています{0}}