絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの定義

絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ（IGBT）は、MOSFET（金属-酸化物-半導体電界-効果トランジスタ）と BJT（バイポーラ接合トランジスタ）の利点を組み合わせた、完全に制御された電圧駆動の複合パワー半導体デバイスです。{0}

 

コア定義ポイント
構造構成: MOSFET の高入力インピーダンスと電圧駆動特性と、BJT の低い伝導電圧降下と高電流容量を組み合わせたもので構成されています。{0}

動作原理: ゲートに電圧を印加してチャネル形成を制御することで、PNP トランジスタにベース電流を供給し、ターンオンまたはターンオフを実現します。-

端子構造: ゲート (G)、コレクタ (C)、エミッタ (E) の 3 つの端子があります。{0}

 

主な利点:
高入力インピーダンス (MOSFET のような、低駆動電力)
低導通電圧降下 (BJT と同様、低導通損失)
高電圧、大電流、中高周波の用途に適しています-